超薄Si片
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化學符號為Si,主要用途有：制作半導體器件、紅外光學器件及太陽能電池襯底等材料。
| 產(chǎn)品簡介 | ||
|---|---|---|
| 摻雜物質(zhì) |
摻B |
摻P |
| 類型 | P | N |
| 電阻率Ω.cm |
10-3 ~ 40 |
10-3 ~ 40 |
| EPD(cm-2 ) | ≤100 | ≤100 |
| 氧含量( /cm3 ) |
≤1.8 x1018 |
≤1.8 x1018 |
| 碳含量( /cm3 ) |
≤5x1016 |
|
● 晶體方向： <111> ； <100> ； <110> ± 0.5o 或 特殊的方向
● 常規(guī)尺寸：dia2"x0.1mm,dia2"x0.2 mm
● dia2"直徑公差±0.4mm；厚度公差±25um
● 可根據(jù)要求提供特殊尺寸和方向的基片
● 產(chǎn)品包裝：單片盒或25片插盒封裝
● 同時可提供熱氧化SiO2層的Si片；Si+SiO2+Ti+Pt的基片!歡迎您的咨詢！
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