應(yīng)用范圍:OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD(物理/化學(xué)混合氣相沉積)系統(tǒng),帶有獨(dú)特的原料推進(jìn)系統(tǒng)和1350℃原位蒸發(fā)槍。原料推進(jìn)系統(tǒng)和同時(shí)/依次將3種反應(yīng)原料推入到爐管中(可設(shè)定推入位置和推進(jìn)速度),以達(dá)到適合的蒸發(fā)溫度。溫度可控型原位蒸發(fā)槍,最高溫度可達(dá)1350℃,也可多固體原料原位蒸發(fā)。所以此系統(tǒng)可對4種固體或液體源供蒸發(fā)。此設(shè)備適合各種HPCVD實(shí)驗(yàn),特別適用于制備多層二維晶體材料。操作面板為PLC觸摸屏,用戶可設(shè)置進(jìn)料速度,進(jìn)料位置及實(shí)時(shí)監(jiān)測蒸發(fā)原料的溫度。
產(chǎn)品型號 :OTF-1200X-III-HPCVD-SE
上架時(shí)間 :2019-07-05
安裝尺寸:4000×600×1500m
OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD(物理/化學(xué)混合氣相沉積)系統(tǒng),帶有獨(dú)特的原料推進(jìn)系統(tǒng)和1350℃原位蒸發(fā)槍。原料推進(jìn)系統(tǒng)和同時(shí)/依次將3種反應(yīng)原料推入到爐管中(可設(shè)定推入位置和推進(jìn)速度),以達(dá)到適合的蒸發(fā)溫度。溫度可控型原位蒸發(fā)槍,最高溫度可達(dá)1350℃,也可多固體原料原位蒸發(fā)。所以此系統(tǒng)可對4種固體或液體源供蒸發(fā)。此設(shè)備適合各種HPCVD實(shí)驗(yàn),特別適用于制備多層二維晶體材料。操作面板為PLC觸摸屏,用戶可設(shè)置進(jìn)料速度,進(jìn)料位置及實(shí)時(shí)監(jiān)測蒸發(fā)原料的溫度。
性能指標(biāo)和基本配置 | |
---|---|
爐體結(jié)構(gòu) |
● 獨(dú)特的原料推進(jìn)系統(tǒng)可在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下同時(shí)/依次推進(jìn)3種原料進(jìn)入到管式爐中(并可實(shí)時(shí)監(jiān)測其溫度),溫度可控型原位蒸發(fā)槍,最高溫度可達(dá)1350℃,適合用HPCVD法生長多層膜。 |
電源要求 |
● 單相208~240VAC |
加熱區(qū) |
● 三個(gè)加熱區(qū),每個(gè)加熱區(qū)長度:300mm |
恒溫區(qū) | |
工作溫度 |
● 最高工作溫度:1200℃(<1hr) |
升溫速率 |
≤ 10°C /min |
原料推進(jìn)系統(tǒng)&蒸發(fā)槍 |
● 獨(dú)特的原料推進(jìn)系統(tǒng)可在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下同時(shí)/依次推進(jìn)3種原料進(jìn)入到管式爐中(并可實(shí)時(shí)監(jiān)測其溫度),利用推送系統(tǒng)可將3個(gè)不同蒸發(fā)源同時(shí)/依次送入3個(gè)獨(dú)立的小石英管中,精確地找到所需溫度,保證實(shí)驗(yàn)精確性和重復(fù)性 |
坩堝移動(dòng)控制 |
● 坩堝的移動(dòng)速度和移動(dòng)距離通過步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng),可設(shè)定控制 |
沉積樣品臺 |
● 特殊設(shè)計(jì)樣品臺,帶有手動(dòng)遮擋板,放置原料交替試導(dǎo)致所制備樣品污染 |
溫度控制系統(tǒng) |
● 三個(gè)溫區(qū)由三個(gè)獨(dú)立的溫控系統(tǒng)控制,采用PID方式調(diào)節(jié)溫度,可設(shè)置30段升降溫程序 |
管式爐配置 |
● 爐管,采用高純石英管,尺寸為Φ130(外)mm×Φ122(內(nèi))mm×1200mm(長) |
真空計(jì) |
● 防腐型復(fù)合真空計(jì)(皮拉尼和隔膜規(guī)) |
真空泵&真空度 | |
氣體流量控制系統(tǒng) | |
循環(huán)水冷機(jī) | |
設(shè)備尺寸 | |
國家專利 |
專利名稱:一種小型熱等靜壓爐裝置 |
質(zhì)量認(rèn)證 | |
保修期 |
一年保修,終身技術(shù)支持。 特別提示: 1.耗材部分如加熱元件,石英管,樣品坩堝等不包含在內(nèi)。 2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內(nèi)。 點(diǎn)擊查看售后服務(wù)承諾書。 |
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